مدلسازی ترانزیستور دوقطبی سلسله مراتبی فشرده با Hicum
دسته: مهندسی برقاین کتاب منبعی ضروری و فوقالعاده برای تمرین و یادگیری مهندسین حرفهای در توسعه فرآیند، مدلسازی و طراحی مدارهای مجتمع که علاقمند به کاربرد و عملکرد ترانزیستورهای دوقطبی هستند، میباشد.
ترانزیستورهای مورد نظر در این کتاب برای مثال عبارتند از SiGe که با فنآوریهای فرآیند برش لبه موجود ساخته شدهاند. این منبع ارزشمند با مروری بر طراحی دستگاههای مختلف ترانزیستورهای دوقطبی مدرن آغاز شده و در رابطه با شرایط عملیاتی آنها به بحث و بررسی میپردازد. علاوهبراین، فصلهایی از کتاب در رابطه با تئوری ترانزیستورها بوده و به بخشهایی برای مرور تئوریهای کلاسیک و بررسی نظریهها و تکنولوژیهای مدرن، تقسیم شدهاند.
در این کتاب در رابطه با نظریه پیشرفته مورد نیاز برای فهم طراحیهای دستگاههای مدرن نیز مطالبی بیان شده است. در واقع هدف اصلی این کتاب ایجاد یک پایه محکم برای درک مدلهای مدرن و فشرده میباشد.
ترانزیستورهای مورد نظر در این کتاب برای مثال عبارتند از SiGe که با فنآوریهای فرآیند برش لبه موجود ساخته شدهاند. این منبع ارزشمند با مروری بر طراحی دستگاههای مختلف ترانزیستورهای دوقطبی مدرن آغاز شده و در رابطه با شرایط عملیاتی آنها به بحث و بررسی میپردازد. علاوهبراین، فصلهایی از کتاب در رابطه با تئوری ترانزیستورها بوده و به بخشهایی برای مرور تئوریهای کلاسیک و بررسی نظریهها و تکنولوژیهای مدرن، تقسیم شدهاند.
در این کتاب در رابطه با نظریه پیشرفته مورد نیاز برای فهم طراحیهای دستگاههای مدرن نیز مطالبی بیان شده است. در واقع هدف اصلی این کتاب ایجاد یک پایه محکم برای درک مدلهای مدرن و فشرده میباشد.
سال انتشار: 2010 | 753 صفحه | حجم فایل: 6 مگابایت | زبان: انگلیسی
نویسنده
Michael Schroter, Anjan Chakravorty
ناشر
World Scientific Publishing Company
ISBN10:
981427321X
ISBN13:
9789814273213
قیمت: 16000 تومان
برچسبها: Compact Hierarchical Bipolar Transistor Modeling with HiCUM will be of great practical benefit to professionals from the process development, modeling and circuit design community who are interested in the application of bipolar transistors, which include the SiGe:C HBTs fabricated with existing cutting-edge process technology. The book begins with an overview on the different device designs of modern bipolar transistors, along with their relevant operating conditions; while the subsequent chapter on transistor theory is subdivided into a review of mostly classical theories, brought into context with modern technology, and a chapter on advanced theory that is required for understanding modern device designs. This book aims to provide a solid basis for the understanding of modern compact models.