این کتاب منبعی ضروری و فوقالعاده برای تمرین و یادگیری مهندسین حرفهای در توسعه فرآیند، مدلسازی و طراحی مدارهای مجتمع که علاقمند به کاربرد و عملکرد ترانزیستورهای دوقطبی هستند، میباشد.
ترانزیستورهای مورد نظر در این کتاب برای مثال عبارتند از SiGe که با فنآوریهای فرآیند برش لبه موجود ساخته شدهاند. این منبع ارزشمند با مروری بر طراحی دستگاههای مختلف ترانزیستورهای دوقطبی مدرن آغاز شده و در رابطه با شرایط عملیاتی آنها به بحث و بررسی میپردازد. علاوهبراین، فصلهایی از کتاب در رابطه با تئوری ترانزیستورها بوده و به بخشهایی برای مرور تئوریهای کلاسیک و بررسی نظریهها و تکنولوژیهای مدرن، تقسیم شدهاند.
در این کتاب در رابطه با نظریه پیشرفته مورد نیاز برای فهم طراحیهای دستگاههای مدرن نیز مطالبی بیان شده است. در واقع هدف اصلی این کتاب ایجاد یک پایه محکم برای درک مدلهای مدرن و فشرده میباشد.
ترانزیستورهای مورد نظر در این کتاب برای مثال عبارتند از SiGe که با فنآوریهای فرآیند برش لبه موجود ساخته شدهاند. این منبع ارزشمند با مروری بر طراحی دستگاههای مختلف ترانزیستورهای دوقطبی مدرن آغاز شده و در رابطه با شرایط عملیاتی آنها به بحث و بررسی میپردازد. علاوهبراین، فصلهایی از کتاب در رابطه با تئوری ترانزیستورها بوده و به بخشهایی برای مرور تئوریهای کلاسیک و بررسی نظریهها و تکنولوژیهای مدرن، تقسیم شدهاند.
در این کتاب در رابطه با نظریه پیشرفته مورد نیاز برای فهم طراحیهای دستگاههای مدرن نیز مطالبی بیان شده است. در واقع هدف اصلی این کتاب ایجاد یک پایه محکم برای درک مدلهای مدرن و فشرده میباشد.
سال انتشار: 2010 | تعداد صفحات: 753 | حجم فایل: 5.70 مگابایت | زبان: انگلیسی
Compact Hierarchical Bipolar Transistor Modeling With Hicum
نویسنده:
Michael Schroter, Anjan Chakravorty
ناشر:
World Scientific Publishing Company
ISBN10:
981427321X
ISBN13:
9789814273213