اصول دستگاه های نیمه رسانا

قیمت 16,000 تومان

خرید محصول توسط کلیه کارت های شتاب امکان پذیر است و بلافاصله پس از خرید، لینک دانلود محصول در اختیار شما قرار خواهد گرفت.
ابعاد دستگاه‌های نیمه‌رسانای مدرن در نقطه‌ای که نظریه کلاسیک نیمه‌رسانا، از جمله مفاهیم تراکم ذرات پیوسته و جریان مداوم، سوال‌برانگیز می‌شود کاهش می‌یابد. علاوه‌‌براین سوالات برحسب حمل‌و‌نقل دوبعدی در مهمترین دستگاه‌های اثر میدان و حمل‌و‌نقل یک بعدی در نانوسیم‌ها و نانولوله‌های کربنی شرح داده می‌شود.
“اصول دستگاه‌های نیمه‌رسانا” ویرایش دوم، برای مقطع کارشناسی و کارشناسی ارشد طراحی شده و اصول فیزیک نیمه‌رسانا و دستگاه را ارائه می‌دهد. به نحوی که نظریه کلاسیک نیمه‌رسانا را ارتقاء داده و تفسیرهای مناسب از اثرات کوانتومی متعدد در دستگاه‌های مدرن را قادر می‌سازد. نظریه نیمه‌رسانا به‌طور مستقیم با کاربردهای عملی، از جمله ارتباط با مدل‌های SPICE و پارامترهایی که معمولا در زمان طراحی مدار استفاده می‌شوند، مرتبط است.
سال انتشار: 2011  |  تعداد صفحات: 658  |  حجم فایل: 19.75 مگابایت  |  زبان: انگلیسی
Principles of Semiconductor Devices
نویسنده:
Sima Dimitrijev
ناشر:
Oxford University Press
ISBN10:
0195388038
ISBN13:
9780195388039

 

عناوین مرتبط:


The dimensions of modern semiconductor devices are reduced to the point where classical semiconductor theory, including the concepts of continuous particle concentration and continuous current, becomes questionable. Further questions relate to two-dimensional transport in the most important field-effect devices and one-dimensional transport in nanowires and carbon nanotubes.Designed for upper-level undergraduate and graduate courses, Principles of Semiconductor Devices, Second Edition, presents the semiconductor-physics and device principles in a way that upgrades classical semiconductor theory and enables proper interpretations of numerous quantum effects in modern devices. The semiconductor theory is directly linked to practical applications, including the links to the SPICE models and parameters that are commonly used during circuit design. The text is divided into three parts: Part I explains semiconductor physics; Part II presents the principles of operation and modeling of the fundamental junctions and transistors; and Part III provides supplementary topics, including a dedicated chapter on the physics of nanoscale devices, description of the SPICE models and equivalent circuits that are needed for circuit design, introductions to the most important specific devices (photonic devices, JFETs and MESFETs, negative-resistance diodes, and power devices), and an overview of integrated-circuit technologies. The chapters and the sections in each chapter are organized so as to enable instructors to select more rigorous and design-related topics as they see fit.