ترانزیستورهای نانوسیم سیلیکونی

دسته: مهندسی برق
ترانزیستورهای نانوسیم سیلیکونی

این کتاب طرح‌های ترانزیستور نانوسیم سیلیکونی (SNT) نوع n کانال و p کانال با عملکرد تک‌کاره و دوکاره را با تاکید بر کاهش مصرف انرژی استاتیک و داینامیک، توضیح می‌دهد.
نویسندگان کتاب جریان فرآیند برای ساخت و تولید مدل‌های SPICE برای ساخت مدارهای مختلف دیجیتال و آنالوگ توضیح می‌دهند. اینها شامل یک SRAM، فرستنده طیف گسترده پهنای باند، یک سلول عصبی و پلت‌فرم آرایه دروازه قابل برنامه‌ریزی فیلد (FPGA) در حوزه دیجیتال و همچنین پهنای باند بالا به‌صورت تک‌مرحله و تقویت‌کننده‌های عملیاتی، مدارهای ارتباطی RF در دامنه آنالوگ می‌شوند تا پتانسیل واقعی این تکنولوژی برای نسل بعدی VLSI را نشان دهند.
سال انتشار: 2016  |  165 صفحه  |  حجم فایل: 9 مگابایت  |  زبان: انگلیسی

Silicon Nanowire Transistors
نویسنده
Ahmet Bindal,‎ Sotoudeh Hamedi-Hagh
ناشر
Springer
ISBN10:
331927175X
ISBN13:
9783319271750

 

قیمت: 16000 تومان

خرید کتاب توسط کلیه کارت های شتاب امکان پذیر است و بلافاصله پس از خرید، لینک دانلود فایل کتاب در اختیار شما قرار خواهد گرفت.

برچسب‌ها:  

عناوین مرتبط:


This book describes the n and p-channel Silicon Nanowire Transistor (SNT) designs with single and dual-work functions, emphasizing low static and dynamic power consumption.  The authors describe a process flow for fabrication and generate SPICE models for building various digital and analog circuits.  These include an SRAM, a baseband spread spectrum transmitter, a neuron cell and a Field Programmable Gate Array (FPGA) platform in the digital domain, as well as high bandwidth single-stage and operational amplifiers, RF communication circuits in the analog domain, in order to show this technology’s true potential for the next generation VLSI.  


ارسال دیدگاه