فیزیک پایه نیمه رسانا

این کتاب درسی، شرح مفصلی از فیزیک پایه نیمه‌رساناها ارائه می‌دهد و طیف گسترده‌ای از پدیده‌های مهم در نیمه‌رساناها را از ساده تا پیشرفته پوشش می‌دهد. این کتاب چهار روش مختلف محاسبات باند انرژی در ناحیه باند کامل را معرفی و توضیح می‌دهد و مباحث اساسی مانند تقریب جرم مؤثر و حرکت الکترون در یک پتانسیل تناوبی، معادله انتقال بولتزمن و پتانسیل‌های تغییر شکل مورد استفاده برای تجزیه و تحلیل خواص انتقال را پوشش می‌دهد. این متن همچنین تجزیه و تحلیل‌های تجربی و نظری رزونانس سیکلوترون را به طور مفصل بررسی می‌کند و خواص نوری و انتقال ضروری را بررسی می‌کند، در حالی که گذارهای نوری، برهمکنش الکترون-فونون و تحرک الکترون را پوشش می‌دهد. این کتاب محاسبات عددی نرخ پراکندگی، زمان استراحت و تحرک را برای نیمه‌رساناهای معمولی با ساختارهای حجمی، چاه کوانتومی و HEMT شامل مواد شکاف باند پهن مانند GaN و SiC علاوه بر نیمه‌رساناهای IV و III-V ارائه می‌دهد.

ویرایش چهارم به‌روزرسانی شده شامل پوشش مباحث جدیدی مانند ابرشبکه‌های مدوله شده سطحی، اثر وانیر-استارک، نوسان بلوخ، نیمه‌رساناهای شکاف باند پهن و کریستال‌های فوتونی است. این کتاب درسیِ امتحان‌شده و آزمایش‌شده در مورد اصول فیزیک نیمه‌رساناها، با ارائه نمودارهای تمام‌رنگی محاسبه‌شده با پارامترهای فیزیکی به‌روز شده و همچنین مسائل و راه‌حل‌های انتهای فصل، سنگ بنای هر دوره کارشناسی ارشد یا دکترا در این زمینه است.