این کتاب برای دانشجویان تحصیلات تکمیلی در رشتههای مهندسی برق و کامپیوتر و محققان یا متخصصان صنعت در نیمههادیها و میکروالکترونیک در نظر گرفته شده است. طراحی سلولهای بیتی حافظه پایه شامل SRAM با ۶ ترانزیستور، DRAM با ۱ ترانزیستور و ۱ خازن و ترانزیستور FLASH با گیت/بار تله شناور را توضیح میدهد.
طراحی مدارهای جانبی شامل تقویتکننده حسگر و سازماندهی سطح آرایه برای آرایه حافظه را بررسی میکند.
روندهای صنعتی فناوریهای حافظه مانند SRAM مبتنی بر FinFET، حافظه با پهنای باند بالا (HBM)، فلش NAND سهبعدی و آرایه نقطه X سهبعدی را بررسی میکند.
چشماندازها و چالشهای فناوریهای نوظهور حافظه مانند PCM، RRAM، STT-MRAM/SOT-MRAM و FeRAM/FeFET را مورد بحث قرار میدهد.
کاربردهای جدید مانند محاسبات درون حافظهای را برای شتابدهی سختافزاری هوش مصنوعی بررسی میکند.






























