طراحی غیر خطی؛ FET و HEMT

با وجود محبوبیت مداوم، مدل مدار استاندارد ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه‌هادی مرکب (FET) و ترانزیستورهای با تحرک الکترونی بالا (HEMT) نشان داده است که برای تحلیل و طراحی غیرخطی محدودیتی دارد: این مدل فقط در حد استاتیک معتبر است. هنگامی که ولتاژها و جریان‌ها متغیر با زمان باشند، همانطور که برای استفاده عملی از این دستگاه‌ها باید باشند، این مدل به تدریج برای مدارهای با مشخصات بالاتر با شکست مواجه می‌شود. این کتاب نشان می‌دهد که چگونه می‌توان مدل استاندارد را اصلاح کرد تا آن را کاملاً با نحوه عملکرد واقعی FETها و HEMTها سازگار کرد و در نتیجه آن را به صورت پویا معتبر ساخت. اثبات اصل برای چندین مدار عملی، از جمله یک دو برابر کننده فرکانس و تقویت کننده‌هایی با معیارهای عملکرد دشوار، نشان داده شده است. روش‌هایی برای استخراج مدل اصلاح شده و مدل استاندارد شرح داده شده است، از جمله طرحی برای بازسازی ویژگی‌های دینامیکی (یا RF) وابسته به بایاس I(V) که دستگاه‌ها در کاربردهای دنیای واقعی در امتداد آن کار می‌کنند، و در صورت نیاز برای طراحی مدارهای غیرخطی با استفاده از شبیه‌سازهای تعادل هارمونیک و حوزه زمان. این کتاب شامل یک بررسی تاریخی از چگونگی تکامل تغییرات در مدل استاندارد است که منجر به یکی از پرکاربردترین مدل‌ها – مدل آنجلوف (یا چالمرز) – شده است.