ترانزیستورهای نانوسیم سیلیکونی
دسته: مهندسی برقاین کتاب طرحهای ترانزیستور نانوسیم سیلیکونی (SNT) نوع n کانال و p کانال با عملکرد تککاره و دوکاره را با تاکید بر کاهش مصرف انرژی استاتیک و داینامیک، توضیح میدهد.
نویسندگان کتاب جریان فرآیند برای ساخت و تولید مدلهای SPICE برای ساخت مدارهای مختلف دیجیتال و آنالوگ توضیح میدهند. اینها شامل یک SRAM، فرستنده طیف گسترده پهنای باند، یک سلول عصبی و پلتفرم آرایه دروازه قابل برنامهریزی فیلد (FPGA) در حوزه دیجیتال و همچنین پهنای باند بالا بهصورت تکمرحله و تقویتکنندههای عملیاتی، مدارهای ارتباطی RF در دامنه آنالوگ میشوند تا پتانسیل واقعی این تکنولوژی برای نسل بعدی VLSI را نشان دهند.
نویسندگان کتاب جریان فرآیند برای ساخت و تولید مدلهای SPICE برای ساخت مدارهای مختلف دیجیتال و آنالوگ توضیح میدهند. اینها شامل یک SRAM، فرستنده طیف گسترده پهنای باند، یک سلول عصبی و پلتفرم آرایه دروازه قابل برنامهریزی فیلد (FPGA) در حوزه دیجیتال و همچنین پهنای باند بالا بهصورت تکمرحله و تقویتکنندههای عملیاتی، مدارهای ارتباطی RF در دامنه آنالوگ میشوند تا پتانسیل واقعی این تکنولوژی برای نسل بعدی VLSI را نشان دهند.
سال انتشار: 2016 | 165 صفحه | حجم فایل: 9 مگابایت | زبان: انگلیسی
نویسنده
Ahmet Bindal, Sotoudeh Hamedi-Hagh
ناشر
Springer
ISBN10:
331927175X
ISBN13:
9783319271750
قیمت: 16000 تومان
برچسبها:
This book describes the n and p-channel Silicon Nanowire Transistor (SNT) designs with single and dual-work functions, emphasizing low static and dynamic power consumption. The authors describe a process flow for fabrication and generate SPICE models for building various digital and analog circuits. These include an SRAM, a baseband spread spectrum transmitter, a neuron cell and a Field Programmable Gate Array (FPGA) platform in the digital domain, as well as high bandwidth single-stage and operational amplifiers, RF communication circuits in the analog domain, in order to show this technology’s true potential for the next generation VLSI.