ترانزیستورهای نانوسیم سیلیکونی

دسته: مهندسی برق
ترانزیستورهای نانوسیم سیلیکونی

این کتاب طرح‌های ترانزیستور نانوسیم سیلیکونی (SNT) نوع n کانال و p کانال با عملکرد تک‌کاره و دوکاره را با تاکید بر کاهش مصرف انرژی استاتیک و داینامیک، توضیح می‌دهد.
نویسندگان کتاب جریان فرآیند برای ساخت و تولید مدل‌های SPICE برای ساخت مدارهای مختلف دیجیتال و آنالوگ توضیح می‌دهند. اینها شامل یک SRAM، فرستنده طیف گسترده پهنای باند، یک سلول عصبی و پلت‌فرم آرایه دروازه قابل برنامه‌ریزی فیلد (FPGA) در حوزه دیجیتال و همچنین پهنای باند بالا به‌صورت تک‌مرحله و تقویت‌کننده‌های عملیاتی، مدارهای ارتباطی RF در دامنه آنالوگ می‌شوند تا پتانسیل واقعی این تکنولوژی برای نسل بعدی VLSI را نشان دهند.
سال انتشار: 2016  |  تعداد صفحات: 165  |  حجم فایل: 9.09 مگابایت  |  زبان: انگلیسی

Silicon Nanowire Transistors
نویسنده:
Ahmet Bindal,‎ Sotoudeh Hamedi-Hagh
ناشر:
Springer
ISBN10:
331927175X
ISBN13:
9783319271750

 

قیمت: 4000 تومان

خرید کتاب توسط کلیه کارت های شتاب امکان پذیر است و بلافاصله پس از خرید، لینک دانلود فایل کتاب در اختیار شما قرار خواهد گرفت.
This book describes the n and p-channel Silicon Nanowire Transistor (SNT) designs with single and dual-work functions, emphasizing low static and dynamic power consumption.  The authors describe a process flow for fabrication and generate SPICE models for building various digital and analog circuits.  These include an SRAM, a baseband spread spectrum transmitter, a neuron cell and a Field Programmable Gate Array (FPGA) platform in the digital domain, as well as high bandwidth single-stage and operational amplifiers, RF communication circuits in the analog domain, in order to show this technology’s true potential for the next generation VLSI.  


محصولات مرتبط محصولات مرتبط




















ارسال دیدگاه


 (الزامی)  (الزامی)
ایمیل شما نزد مدیر سایت محفوظ بوده و برای عموم نمایش داده نخواهد شد.